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薄膜电致发光膜器件退火方法
编辑:扬州通明反光材料有限公司   时间:2018-04-27

专利名称:薄膜电致发光器件退火方法
技术领域:
本发明属于薄膜电致发光器件的制造技术,特别涉及器件的退火方法。
为了获得高亮度、高可靠性的薄膜电致发光器件,从1个方面研究了高介电常数和高可靠性的薄膜电致发光器件。Ta2O5/SiO2复合膜具有介电常数高、击穿自修复性好、电荷存储密度高等优点。然而,当器件被热处理时,Ta2O5/SiO2介电膜与发光膜之间的应力出现下降,使得Ta2O5/SiO2难以实用。
2.发光薄膜的退火可以改善硫化锌的结晶性能,增加晶粒尺寸,消除晶格畸变,提高发光亮度和发光效率。退火还改善了薄膜的致密化,并促进了发光中心在晶格中的扩散。
本发明的目的是提供一种薄膜电致发光器件的退火方法,其可以消除Ta2O5/SiO2与发光膜之间的应力。
为了达到上述目的,本发明采用薄膜电致发光器件的两次退火方法,即在透明电极上对SiO2/Ta2O5/SiO2绝缘膜进行第一次退火后,温度为320~500℃,温度为30~90min,He为30min。反应速率为3~10 C/min,冷却速度为3~8,min,压力在6 .5Pa以上,第一次退火为首次退火。沉积后的发光膜经二次退火,温度为500,温度为60min,加热速率为3-10/min,冷却速率为3-8C/min,压力大于65Pa。
由于两次退火和控制上升和冷却速率,消除了膜生长过程中形成的缺陷和膜之间失配的损失,并且膜和膜之间的应力被完全释放,并且下落的现象下注。解决了膜的问题。
通过一个例子详细说明了本发明。
根据在透明电极上制作电致发光器件的常规方法,SiO2、Ta2O5和SiO2绝缘膜依次在透明电极上。在真空室中压力为65Pa时,升温速率为5℃/min,恒温温度为350℃,升温速度为60min。冷却速率控制在4℃/min,自然冷却降低到200℃。在此基础上,沉积发光膜。真空室中压力为65Pa,加热速度为6℃/min,恒温500℃,60min,冷却速度为6 C/min,冷却冷却至200℃,制备绝缘膜和金属电极,整个装置完成。d.
索赔
1。薄膜电致发光器件的退火方法的特征在于薄膜电致发光器件的两次退火之后的第一次退火,即在透明电极上SiO2/Ta2O5/SiO2绝缘膜的浅沉积之后的第一次退火。温度320~500℃,恒温30~90min,升温速率3~10℃/min,冷却速度3~8℃/min,压力受压。第一次退火后,将沉积的发光膜进行二次退火,温度为500,温度为60min,加热速率为3-10C/min,冷却速度为3-8/min,压力大于65Pa。
全文摘要
本发明属于薄膜电致发光器件的制造技术。本发明提供一种可消除薄膜电致发光器件的退火方法。

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